高新发展芯未半导体一期项目通线投产
证券时报e公司讯,成都高新发展消息,10月13日,高新发展投资建设的芯未半导体项目一期通线仪式举行,标志着一期项目全面通线投产。芯未半导体项目主要为功率半导体设计和制造企业、终端应用企业等提供从IGBT芯片背面加工-模块封测代工-组件集成代工的一站式代工服务。此次通线投产后,将形成约6万片/年IGBT芯片(折合8寸)、120万只/年功率模块生产能力。
证券时报e公司讯,成都高新发展消息,10月13日,高新发展投资建设的芯未半导体项目一期通线仪式举行,标志着一期项目全面通线投产。芯未半导体项目主要为功率半导体设计和制造企业、终端应用企业等提供从IGBT芯片背面加工-模块封测代工-组件集成代工的一站式代工服务。此次通线投产后,将形成约6万片/年IGBT芯片(折合8寸)、120万只/年功率模块生产能力。