风华高科极限高容:夯实技术能力,纵深推进高端应用市场

高端应用驱动,挑战与机遇并存
AI浪潮奔涌,算力市场迎高速增长,基于人工智能的算力新基建需求,给MLCC带来了新的挑战与机遇。一是MLCC用量激增,AI服务器需多块高功耗GPU,单模块需数百颗MLCC,如英伟达8-GPU Hopper HGX服务器MLCC用量增7-8倍,GB200 NVL72机架方案用量增百倍以上;二是MLCC容量密度提升,服务器高算力依赖强大电源管理,高容值MLCC可提升能量存储与电流稳定性,满足电源电路的需求,用量也随之大增;三是MLCC可靠性要求提升,现代AI服务器架构通常在单个基板上集成多个GPU模块,每个机架可能容纳多个ASIC/GPU单元,这种配置随着计算需求的增加产生大量热量,芯片周围MLCC的环境温度也随之升高,要求MLCC具备良好的高温可靠性。总体而言,AI算力领域对MLCC的容量密度、耐高温、高可靠性提出了更加严苛的要求。
极限高容系列产品应用电路图
夯实技术能力,关键技术自主可控
为满足AI算力领域对MLCC的新需求,风华高科积极布局关键材料与核心工艺技术,持续夯实极限高容MLCC技术能力。
实现了极限高容MLCC用耐高温添加剂、高覆盖率镍浆、高致密端浆等系列关键材料自产化,解决了极限高容MLCC用关键材料受到制约的难题;掌握了100nm以下钛酸钡粉体的均质分散与0.5μm超薄膜片流延技术,实现了1000层以上超薄膜片的精密、稳定叠层,建立了独有的极限高容MLCC烧结工艺体系,有效提升了产品使用寿命,降低了系列高容MLCC产品失效率,实现了高可靠性极限高容的稳定制备与生产。
通过以上技术突破,实现了MLCC关键材料和核心工艺技术的自主可控,并通过承办多项MLCC行业新标准的制定,有力推动了MLCC行业发展。
风华高科MLCC技术发明专利(部分)
打磨产品质量,角逐高端应用市场
风华高科极限高容MLCC产品最高容量达到220μF,直流偏置电压下容量衰减小,且在高温负载下保持良好的绝缘稳定性,完美契合了AI算力领域对MLCC高有效容量和高可靠性的严苛需求。
典型产品性能
规格型号 | L/mm | W/mm | T/mm | 容量/uF | 温度特性 | Ur/V |
0805 X6S 100uF 2.5V | 2.0±0.2 | 1.25±0.2 | 100±20% | X6S | 2.5 | |
1206 X6S 220uF 2.5V | 3.2±0.3 | 1.6±0.3 | 220±20% | X6S | 2.5 |
典型产品特性曲线(0805 X6S 100uF 2.5V)

产品特点
高容量密度:极限高容系列产品具备较高的容量密度,满足AI服务器对能量存储和电流稳定性的需求。
良好的温度特性:在-55~105℃宽温度范围内,产品容量变化率在-22%~+22%之间,满足EIA标准X6S温度特性。
高有效容量:在直流偏置电压下,容量衰减小,老化特性达到行业先进水平,确保在实际使用条件下保持高的有效容量。
良好的高温可靠性:在105℃、1.5倍额定电压下,产品依然保持良好的绝缘稳定性,满足AI服务器等工控领域对MLCC高温、高可靠性的严苛要求。
风华高科将进一步协同产业链上下游,继续深耕极限高容MLCC原材料、工艺、制造、应用等技术,带动MLCC上游产业发展;推出更高容量密度、更高温度稳定性、更高可靠性的MLCC产品,支撑AI算力等工控产业持续健康发展。

