安泰科技：可以为生产第三代半导体GaN材料的金属有机物化学气相沉积设备提供核心材料和部件

【安泰科技：可以为生产第三代半导体GaN材料的金属有机物化学气相沉积设备提供核心材料和部件】财联社7月30日电，安泰科技在互动平台表示，公司可以为生产第三代半导体GaN材料的金属有机物化学气相沉积设备提供核心材料和部件。同时，公司开发的高性能非晶、纳米晶产品是随着第三代半导体发展而受益的配套功能器件。公司目前未直接与通信企业合作。