顺络电子申请非晶纳米晶磁芯及其制造方法专利，大幅降低高频损耗

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国家知识产权局信息显示，深圳顺络电子股份有限公司申请一项名为“一种非晶纳米晶磁芯及其制造方法”的专利，公开号CN121034816A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，一种非晶纳米晶磁芯及其制造方法，该磁芯包括：同心分区双层结构，利用内层与外层不同成分/厚度的合金带材实现高频磁通内聚与低频磁路扩展；或者径向交替层叠结构，通过异质带材沿径向交替堆叠形成全域磁导率协同效应。该磁芯的复合结构设计在磁性能方面显著提升了特定频段的磁导率稳定性，大幅降低高频损耗并改善阻抗特性；同时，有利于显著减少昂贵超薄带材用量，同步降低制造成本并增强结构稳定性。本发明为高频大功率电子设备提供了兼具优异电磁性能、高可靠性与成本效益的核心磁性元件解决方案。

天眼查资料显示，深圳顺络电子股份有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本80631.8354万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳顺络电子股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息679条，此外企业还拥有行政许可118个。

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