华天科技申请高深宽比大角度硅基斜孔干法刻蚀及封装结构专利，提高硅基斜孔的深宽比

本文源自:金融界

金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，华天科技（昆山）电子有限公司申请一项名为“一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法及封装结构”的专利，公开号CN120109013A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法，其提高了硅基斜孔的深宽比，且操作步骤简单，从而提升封装结构的性能，且确保单位面积的封装结构的密度可以提高。其特征在于：斜孔采用先通过Bosch工艺在硅槽内刻蚀出直孔结构，再通过非Bosch工艺将直孔结构扩成斜孔结构的干法刻蚀。

天眼查资料显示，华天科技（昆山）电子有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本184017.803901万人民币。通过天眼查大数据分析，华天科技（昆山）电子有限公司参与招投标项目77次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息332条，此外企业还拥有行政许可41个。