武汉凡谷取得耦合滤波器专利，加强低频段强磁耦合

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国家知识产权局信息显示，武汉凡谷电子技术股份有限公司取得一项名为“耦合滤波器”的专利，授权公告号CN 223566850 U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种耦合滤波器，耦合滤波器通过设置腔体、盖板、第一谐振杆和第二谐振杆，盖板盖设于腔体，与腔体形成第一谐振腔、第二谐振腔和耦合窗口，第一谐振杆和第二谐振杆分别装设于第一谐振腔和第二谐振腔，第一谐振杆和第二谐振杆通过耦合窗口形成耦合，由于耦合滤波器还设置有台阶和耦合件，台阶位于第一谐振杆和第二谐振杆之间，耦合件固定连接于台阶，第一谐振杆和第二谐振杆之间的耦合件将显著加强第一谐振杆和第二谐振杆的低频段强磁耦合，且通过耦合件沿台阶的变形，可对第一谐振杆和第二谐振杆之间的耦合强度进行调节，从而使得第一谐振杆和第二谐振杆的耦合强度能够满足实际使用需求。

天眼查资料显示，武汉凡谷电子技术股份有限公司，成立于1989年，位于武汉市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本68328.5806万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉凡谷电子技术股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目121次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息460条，此外企业还拥有行政许可60个。

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