北方华创(002371) 深硅刻蚀受益HBM持续扩产

2.5D和3D封装技术作为突破集成电路发展制程瓶颈的关键，TSV(硅通孔)关键工艺拉动二十余种设备发展。近年人工智能迅猛发展，2.5D和3D封装技术革新了芯片互联方式，成为突破集成电路发展制程瓶颈的关键。3DIC封装如HBM(高带宽内存)和2.5D封装技术如CoWoS被广泛应用并加速发展，拉动集成电路装备产业高质量发展。TSV技术作为先进互联方式，在HBM和CoWoS中起着至关重要的作用，就TSV制造流程而言，以2.5Dinterposer为例，其制造流程可以分为三大部分：TSVprocess-VialastorViamiddle(TSV孔的制造)、Frontsideprocess-DualDamasceneprocess(正面制程-大马士革工艺)以及Backsideprocess-CuExpose&RDLprocess(背面制程-露铜刻蚀和再布线层制程)。每个部分具体环节对应不同设备及不同指标。TSV生产流程涉及到深孔刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及电镀、清洗、减薄、键合等二十余种设备，其中深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、清洗、CMP去除多余的金属、晶圆减薄、晶圆键合等工序涉及的设备最为关键。随着2.5D和3D封装技术的应用，TSV作为关键工艺将拉动集成电路装备产业高质量发展。

北方华创全面布局先进封装领域用刻蚀+薄膜+炉管+清洗，静待国内2.5D和3D封装技术大放异彩。公司深耕集成电路装备产业二十余载，可为先进封装领域客户提供TSV制造、正面制程-大马士革工艺、背面制程-露铜刻蚀和RDL工艺的全面解决方案，涉及刻蚀、薄膜、炉管、清洗四大类二十余款装备工艺解决方案：

刻蚀：PSEV300设备在TSV工艺中采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，刻蚀均匀性、选择比更佳;采用每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现;通过优化机台晶圆边缘保护装置，提高产品良率;在2.5D工艺中，公司提供可满足BVR(背面通孔暴露)和BFR(背面平整暴露)不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案;HSED300设备在PlasmaDicing(等离子体切割)工艺中针对小芯片制造具有高刻蚀速率和高深宽比能力优势，具有多种UV膜的冷却方式，保证UV膜的延展性，实现高质量的芯片切割;BMDP300设备作为封装领域Descum(去残胶)的主力产品，在Bumping(凸点工艺)、Fanout(扇出封装)、2.5D&3D应用中的残留光刻胶去除、残余金属去除、表面活化等工艺方面，为客户提供Descum解决方案。

薄膜：公司采用PEALD(等离子体增强原子层沉积)方式沉积二氧化硅保护层，可实现更好的侧壁形貌和底层覆盖率;在TSVBarrier/SeedDeposition(阻挡层/种子层沉积)工艺中采用PVD(物理气相沉积)设备解决方案，能满足金属扩散阻挡层/种子层的膜厚、均匀性、粘附性要求，防止金属扩散，确保器件电学性能、结构完整性和工艺兼容性。

炉管：公司设备在TSV工艺的退火环节中通过出色的温度控制能力和工艺表现，实现铜的晶粒分布更加均匀，降低电阻率，提高TSV的制造质量和性能。

清洗：公司设备在TSV工艺中可实现水溶性化学物质的结合，有效去除侧壁聚合物，确保深孔内壁清洁;在2.5D工艺中可降低铜的腐蚀率，提高化学品应用效率，实现更高的经济效益。

我们预计公司2024年/2025年/2026年分别实现收入302亿元/403亿元/539亿元，实现归母净利润分别为54亿元/76亿元/106亿元，维持“买入”评级。