扬州乾照光电申请多结太阳能电池结构及其制备方法专利，提高多结太阳能电池结构的制备良率

本文源自:金融界

金融界 2025 年 5 月 1 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州乾照光电有限公司申请一项名为“一种多结太阳能电池结构及其制备方法”的专利，公开号 CN119894153A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种多结太阳能电池结构及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该多结太阳能电池结构包括第一衬底和位于第一衬底一侧沿背离第一衬底的方向层叠的第一欧姆接触层、多个子电池以及第二欧姆接触层，第二欧姆接触层包括沿背离第一衬底的方向层叠的第一子层和第二子层，第一子层为含 In 的材料层，第二子层为 GaAs 层或 GaAsSb 层，即在含 In 的第一子层上还覆盖有不含 In 的 GaAs 层或 GaAsSb 层作为第二子层，减少或避免含 In 的第一子层向反应腔室挥发 In 原子，减少反应腔室中的驻留 In 原子，减小驻留 In 原子对反应腔室的污染和影响，提高多结太阳能电池结构的制备良率，且第二子层可以和金属电极形成良好的欧姆接触。

天眼查资料显示，扬州乾照光电有限公司，成立于2009年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58200万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州乾照光电有限公司参与招投标项目13次，专利信息302条，此外企业还拥有行政许可113个。