华南理工与中电科院申请芯片多层薄膜制作装置及方法专利，能够保障镀膜质量

本文源自:金融界

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，华南理工大学;中国电力科学研究院有限公司申请一项名为“一种芯片多层薄膜的制作装置及方法”的专利，公开号CN119932540A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及芯片镀膜技术领域，公开了一种芯片多层薄膜的制作装置及方法，包括基座；固定座设置于基座上，固定座内设置有两侧敞开的第一腔体；放置架设置于第一腔体内，放置架的轴心处固定连接有转向轴，转向轴与固定座转动连接，放置架上周向设置有多个型腔，型腔内用于装配芯片；一对沉积室可滑动地设置于基座上，沉积室内设置有朝向固定座敞开的第二腔体；第一驱动机构用于驱动转向轴转动；第二驱动机构用于驱动一对沉积室沿基座滑动；当一对沉积室与固定座贴合时，第一腔体与一对第二腔体之间密封连通，以使得在放置架转动时，芯片能够在一对第二腔体中交替移动，本发明能够在芯片表面交替形成多层薄膜，保障镀膜质量。