晶盛机电碳化硅全链突破，AI算力激活材料新机遇

（来源：金融小博士）

9月26日午后，晶盛机电（300316）股价大幅拉升，盘中一度涨超15%，股价创年内新高。

消息面上，今日午间，公司官微发布消息称，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。

在碳化硅概念龙头带动下，其他相关股票也有异动情况，如晶升股份、天岳先进、露笑科技等。

碳化硅技术领跑+AI算力新风口驱动

一、核心事件催化：12英寸碳化硅衬底国产化突破

2025年9月26日午间，晶盛机电宣布其子公司浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现从晶体生长到检测全流程设备100%国产化。这一突破标志着公司在全球碳化硅（SiC）衬底技术领域从"并跑"迈入"领跑"阶段，技术自主性显著提升，产能扩张和成本控制能力大幅增强。

二、碳化硅产业革命：AI算力时代的核心材料

随着AI服务器GPU芯片功率突破1400W（如英伟达B300），传统陶瓷基板（热导率200-230W/mK）已无法满足散热需求。碳化硅凭借400-500W/mK的导热性能（接近钻石），成为AI芯片封装载板的理想材料。台积电CoWoS封装方案已计划采用碳化硅替代传统基板，预计2027年相关市场规模将突破12亿美元。

三、核心标的竞争优势与亮点

1.晶盛机电（300316）

• 全产业链技术壁垒覆盖晶体生长→切割→研磨→抛光→检测全流程设备国产化，12英寸设备自主化率超90%。独家研发"磁控直拉法"，单晶生长周期缩短至180小时（行业平均240小时）。

• 产能布局全球领先上虞基地年产30万片6-8英寸衬底（2025年Q4满产），马来西亚基地8英寸衬底产线（2026年产能10万片/年），银川基地6英寸配套晶体项目（支撑全球客户交付）。

• 客户验证突破已获英飞凌、安森美等头部企业认证，国内新能源汽车电驱系统市占率超30%，光伏逆变器配套率超60%。

2.天岳先进（688234）

• 全球领先的8英寸量产能力国内唯一实现8英寸碳化硅衬底批量供货企业，2023年导电型衬底市占率全球第二，半绝缘型连续五年全球前三。

• 技术迭代优势液相法制备低缺陷6英寸晶体，厚度突破60mm，8英寸晶圆研发进度领先行业。

• 客户资源优质覆盖全球前十大功率半导体企业半数以上，包括英飞凌、博世、安森美，产品应用于特斯拉、小米SU7等车型。

3.三安光电（600703）

• 全产业链垂直整合（IDM模式）覆盖衬底→外延→芯片→模块封装全链条，湖南三安半导体实现6英寸SiC月产能1.6万片，8英寸产线建设中。

• 多元化场景布局新能源汽车SiC MOSFET已向十余家Tier1客户送样，数据中心/AI服务器电源领域向维谛技术、台达量产供货。

• 国际合作深化与意法半导体合资建设8英寸车规级SiC产线（2025年Q4量产），与理想汽车合资苏州斯科半导体布局电动车平台。

4.露笑科技（002617）

• 高速铜缆技术协同参股万德溙光电（持股16.67%），切入800G高速铜缆领域，适配AI算力设备及AR/VR需求，客户覆盖Google、Meta。

• 碳化硅产能推进合肥露笑半导体已安装280台长晶炉（224台调试完成），2025年底前形成5000片/月6英寸衬底产能。

• 降本增效突破自主研发PVT晶体生长设备热场均匀性达1℃，单炉产出量较行业高15%，8英寸晶圆中试线2025年完成验证。

1. 设备-材料闭环晶盛机电自研设备使衬底成本较外购降低35%，支撑毛利率维持在50%以上；三安光电IDM模式实现从材料到器件的成本优化。

2. 技术外溢优势晶盛机电碳化硅加工设备供货天岳先进、露笑科技，形成"卖铲人"角色溢价；三安光电射频滤波器技术反哺光通信业务。

3. 新兴场景拓展

• AR眼镜光波导：碳化硅高折射率特性支撑70°视场角突破

• 800V高压架构：固态变压器市场2030年规模或达50亿美元。