京东方华灿光电申请改善电子泄漏的发光二极管专利，能提升发光二极管的发光效果

本文源自:金融界

金融界2025年4月25日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“改善电子泄漏的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN119816018A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种改善电子泄漏的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括依次层叠的 n 型层、多量子阱层、电子阻挡层和 p 型层；所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一AlN层，第一p型AlGaN层、第二p型AlGaN层、第三p型AlGaN层和第二AlN层，所述第一p型AlGaN层和所述第三p型AlGaN层的Al组分含量均大于所述第二p型AlGaN层的Al组分含量。本公开能改善大量电子泄漏至p型层的问题，提升发光二极管的发光效果。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目39次，专利信息951条，此外企业还拥有行政许可36个。