京东方华灿光电申请晶体管及其制备方法专利，器件工作的稳定性和可靠性更优

本文源自:金融界

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN119967848A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：缓冲层、表面处理层、第一成核层、第二成核层、沟道层和势垒层；表面处理层位于缓冲层表面，第一成核层、第二成核层、沟道层和势垒层依次层叠在表面处理层上，表面处理层为MgN层，第一成核层为Mg掺杂GaN成核层，第二成核层为GaN成核层。在缓冲层的表面形成MgN表面处理层，第一成核层为Mg掺杂GaN成核层，第二成核层为GaN成核层。第一成核层和表面处理层形成Mg/MgN致密层，可以改善离子扩散造成的漏电；另一方面提供统一的N悬挂键便于后续GaN外延生长，另外，Mg的掺入有一定的延后效应，减弱动态工作下电荷填充的可能性，器件工作的稳定性和可靠性更优。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目85次，专利信息552条，此外企业还拥有行政许可43个。