京东方华灿光电申请晶体管及其制备方法专利，提高晶体管的可靠性

本文源自:金融界

金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN119997545A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、P型氮化镓层、栅极和介质层；沟道层、势垒层和P型氮化镓层依次层叠，P型氮化镓层呈台阶结构，台阶结构具有台阶顶面和台阶底面，栅极位于台阶顶面，介质层覆盖势垒层、P型氮化镓层和栅极。P型氮化镓层呈台阶结构可以优化电场分布，减少台阶顶面的电流，并且降低表面态对沟道电流的影响，减少栅极漏电。栅极位于台阶顶面，台阶结构能够将电场峰值从栅极边缘转移到台阶底面的区域，从而降低栅极边缘的电场强度，有效地抑制栅极边缘电场峰值效应，提高P型氮化镓层的肖特基势垒的击穿电压，提高栅极耐压。通过减少漏电和提高耐压，提高晶体管的可靠性。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，专利信息964条，此外企业还拥有行政许可36个。