京东方华灿光电（广东）申请发光二极管及制备方法专利，提供一种新的发光二极管及制备方法

本文源自:金融界

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号CN120076513A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构和反射层；外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层、有源层和第二半导体层呈台阶结构；台阶结构具有台阶底面和台阶顶面，台阶底面位于第一半导体层上，台阶顶面位于第二半导体层上，反射层覆盖台阶结构，第一半导体层远离有源层的一面具有第一粗化表面和第二粗化表面，第一粗化表面与台阶顶面对应，第二粗化表面与台阶底面对应，第一粗化表面粗化深度大于第二粗化表面的粗化深度。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目25次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可57个。