扬杰科技取得具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS专利，实现对器件栅氧化层的保护

本文源自:金融界

金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS”的专利，授权公告号CN223040478U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS，涉及半导体技术领域。通过在器件栅极处微沟槽刻蚀形成凸台区，在凸台区的底部注入形成Pshield区，实现了对器件栅氧化层的保护并且还同时减小了Pshield区所带来的器件内阻增加。在器件阻断过程中，凸台区底部的Pshield区可以很好的屏蔽电场，避免电场在栅氧化层集中。而又因Pshield区的底面相较于Pbody区处于较高位置，因此Pshield区所引起的内阻增加会较小，不会过多影响器件的性能。

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目184次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息738条，此外企业还拥有行政许可234个。