扬杰科技取得多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法专利

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国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法”的专利，授权公告号CN118645432B，申请日期为2024年7月。

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目190次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息769条，此外企业还拥有行政许可234个。

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