古鳌科技(300551.SZ)：上海昊元古拟增资入股新存科技，后者拟将独立运营三维新型存储器业务

格隆汇8月3日丨古鳌科技(300551.SZ)公布，根据上海昊元古的发展战略安排，拟对新存科技进行增资。公司于2023年8月2日召开第五届董事会第三次会议、第五届监事会第三次会议，全体通过了《关于增资入股新存科技(武汉)有限责任公司的议案》，同意公司在不影响自身运营发展的前提下、分阶段对新存科技进行增资。

2023年8月2日，上海昊元古分别与各方签订《新存科技(武汉)有限责任公司之增资认购协议》及其《补充协议》、《股东协议》、《一致行动人协议》。此次交易完成后，上海昊元古将直接持有新存科技31.3936%股权，成为新存科技的参股公司。

公告显示，新存科技由创新中心的三维新型存储器项目的相关科技成果孵化而成，包括相关知识产权、核心技术人员等。新存科技拟将独立运营三维新型存储器业务，为本项目投资目标公司。

三维新型存储器项目自2019年10月在创新中心立项启动，历经3年的研发攻关，2022年12月，创新中心成功开发了我国首款三维新型存储器原型芯片，相关样片已送至潜在客户方进行功能验证，客户方开发了基于三维新型存储器的模组试验样品，准备在实际使用环境下开展应用测试；当前正处于三维新型存储器产品芯片开发阶段，计划于2024年4季度完成产品芯片开发，并争取推向产业化。

与主流存储器DRAM、NAND相比，三维新型存储芯片在部分指标上具有优势：和NAND相比具有更低的读取延迟、更久的擦写次数、更高的IO(输入/输出)速度、开放的接口协议、更丰富的功能指令；和DRAM相比具有更大的容量和更低的成本。

此次对外投资的目的是为拓展公司新的业务领域，加速公司的新战略布局转型。

标的公司的研发、运营团队约一百余人且主要人员教育和从业背景良好。标的公司拟将独立运营的三维新型存储器业务属于较为市场“前沿”的产品，三维新型存储技术可以消除或缩小当前由于DRAM和NANDFlash本身物理特性的限制形成的内存与外存之间的“存储介质空白带”，大幅提高存储系统的整体性能，打破现有存储架构瓶颈，结合当前存储芯片国产化替代的强烈需求，本项目项下产品及产业具有广阔的市场前景。本项目投资成功或将充实公司主营业务。