捷捷微电：目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段

捷捷微电近期接受投资者调研时称，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至2023年第三季度末，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件，此外，公司还有6个发明专利尚在申请受理中。此外，公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。公司控股子公司江苏易矽科技有限公司也承担了一些碳化硅器件的研发任务。关于碳化硅器件和氮化镓器件，衬底材料决定了产品的成本在短期内很难降下来，此外还有产品良率等因素，决定了碳化硅、氮化镓器件目前只能适合高端应用。