捷捷微电南通科技申请一种屏蔽栅场效应晶体管及制作方法专利，能够有效抑制动态闩锁效应

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国家知识产权局信息显示，捷捷微电（南通）科技有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅场效应晶体管及制作方法”的专利，公开号CN 121001383 A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本申请提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅场效应晶体管包括控制栅与屏蔽栅，控制栅包括多个主体栅极与多个互连栅极，相邻两个主体栅极之间交错排布，且相邻两个主体栅极的端部位置通过互连栅极相连，并形成方形结构；屏蔽栅包括场板结构与接触结构，接触结构与场板结构连接，且场板结构位于控制栅的下方，接触结构位于方形结构内；屏蔽栅在竖直方向上的投影，与互连栅极在竖直方向上的投影交叠，且与主体栅极在竖直方向上的投影间隔。本申请提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制作方法具有能够有效抑制动态闩锁效应的优点。

天眼查资料显示，捷捷微电（南通）科技有限公司，成立于2020年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本267961.97万人民币。通过天眼查大数据分析，捷捷微电（南通）科技有限公司参与招投标项目35次，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可13个。

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