富满微电子取得半桥驱动电路及芯片专利，提高高压阱抗电力冲击能力

本文源自:金融界

金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，富满微电子集团股份有限公司取得一项名为“一种半桥驱动电路及芯片”的专利，授权公告号CN222953918U，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本实用新型实施例提供了一种半桥驱动电路及芯片，包括电平转换模块、阱二极管和第一抵抗模块。电平转换模块将高侧控制信号接收端接收到的信号转化为控制高侧功率管通断的信号；高压阱与参考地端形成的阱二极管，反向连接在高压电源端与参考地端之间；第一抵抗模块连接在高压电源端所处阱区与供电电源端之间，电平转换模块与阱二极管的击穿电压小于第一抵抗模块的击穿电压。通过本实用新型的实施，第一抵抗模块可以优先建立高压电源端所处阱区至供电电源端的电流通道，使得高压阱抗电力冲击能力大大提高，进而也提高了高侧与低侧之间的抵抗静电能力，使高压阱内的内部电路不易损坏，降低了对工艺制程的耐压要求。

天眼查资料显示，富满微电子集团股份有限公司，成立于2001年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21772.4473万人民币。通过天眼查大数据分析，富满微电子集团股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息24条，专利信息275条，此外企业还拥有行政许可69个。