聚灿光电申请降低缺陷密度的外延结构及其生长方法专利，有利于后续GaN膜晶体质量的提升

本文源自:金融界

金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种降低缺陷密度的外延结构及其生长方法”的专利，公开号CN120129370A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种降低缺陷密度的外延结构及其生长方法。包括蓝宝石衬底，在所述蓝宝石村底上依次设置有缓冲层、过渡层和GaN外延层。本发明缓冲层由InxB(1x)N和InyAI(1y)N两个子层组成，组分渐变改善村底与外延层之间的晶格失配，减少村底与外延层之间的应力。本发明过渡层由A1N过渡层1和GazA1(1z)N过渡层2两个子层组成，AL的流量采用脉冲周期性重复的变化方式可以有效减少AL的预反应和岛状成核密度，有利于后续GaN膜晶体质量的提升；GazA1(1z)N过渡层2的生长设置可以有效调节其晶格的变化，有承上启下的作用，为后续GaN膜的生长创造有利条件。

天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息174条，此外企业还拥有行政许可31个。