欣锐科技:已实现基于双向氮化镓(GaN)器件的单级矩阵变换器拓扑(双向)量产技术
证券日报网讯 3月30日,欣锐科技在互动平台回答投资者提问时表示,公司已实现基于双向氮化镓(GaN)器件的单级矩阵变换器拓扑(双向)量产技术,该技术具备高功率密度设计与高可靠性能力,实现400v/800v共板设计,能够适应多种电力电子能量变换的需求。
(编辑 王雪儿)
证券日报网讯 3月30日,欣锐科技在互动平台回答投资者提问时表示,公司已实现基于双向氮化镓(GaN)器件的单级矩阵变换器拓扑(双向)量产技术,该技术具备高功率密度设计与高可靠性能力,实现400v/800v共板设计,能够适应多种电力电子能量变换的需求。
(编辑 王雪儿)