卓胜微取得一种射频开关器件专利，能够兼容已有的体硅工艺器件平台

本文源自:金融界

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司取得一项名为“一种射频开关器件”的专利，授权公告号CN222928739U，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种射频开关器件。在所述射频开关器件中，在体区与P型半导体衬底PSUB之间设置有核心区域低压管P型阱PWCO；在器件区与P型半导体衬底PSUB之间设置有深层N型阱DNW；P型沟道区由贯穿所述深层N型阱DNW的开关管P型阱PWSW形成。与绝缘体上硅射频开关器件结构相比，在器件区与P型半导体衬底PSUB之间设置有深层N型阱DNW，所述P型沟道区由贯穿所述深层N型阱DNW的开关管P型阱PWSW形成，从而避免了在有源层和衬底层之间整体插入绝缘层，能够兼容已有的体硅工艺器件平台，且与与绝缘体上硅射频开关器件结构一样实现在关断状态下大幅降低衬底电容对器件影响的目的。

天眼查资料显示，江苏卓胜微电子股份有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本53454.7532万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏卓胜微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息261条，此外企业还拥有行政许可40个。