卓胜微申请抑制高阶杂散模式的复合薄膜结构专利，解决抑制高阶模式成本高和设计复杂问题

本文源自:金融界

金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，重庆大学;江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“一种抑制高阶杂散模式的复合薄膜结构”的专利，公开号CN120128127A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明属于谐振器技术领域，尤其涉及一种抑制高阶杂散模式的复合薄膜结构，包括反射栅和IDT电极，所述反射栅位于IDT两侧，所述IDT电极激发产生声波；所述IDT电极包括基底层和依次位于基底层上方的高声速层、温度补偿层、压电层和电极层；所述压电层和/或高声速层顶部配置凸起。