上海贝岭亲授高效可靠方案！IIC 现场揭秘2025年度中国IC设计成就奖

国际集成电路展览会暨研讨会（International IC & Component Exhibition and Conference, 简称: IIC）将于2025年3月27日～28日在上海金茂君悦大酒店（上海浦东新区世纪大道88号金茂大厦）举办，展位号：B05。本次大会聚焦绿色能源生态发展、中国IC设计创新、EDA/IP、MCU技术与应用、高效电源管理及宽禁带半导体技术等领域，涵盖产品和技术展示、企业新品发布、高端峰会论坛、技术研讨、产业人才交流、业界年度重磅奖项揭晓等多维度活动内容。

届时，我司工业市场经理康博将为大家带来以“功率半导体方案赋能高效可靠光储系统”为主题的演讲。

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BLG40T120FDK5

BLG40T120FDK5是一款电压等级为1200V、电流为40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点，可满足客户高效率设计要求；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求。适用于光伏逆变，PCS，开关电源逆变器，工业焊机等高频应用。

BLG40T120FDL5

BLG40T120FDL5是一款电压等级为1200V、电流为40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微沟槽多层场截止IGBT技术，优化了导通损耗和开关损耗，实现了更好的输出特性；cell设计进行了优化设计，可以达到10us以上的短路耐受时间；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、低导通损耗，强短路能力的设计要求。适用于通用变频器，三相全桥逆变等应用。

BLG80T65FDK7

BLG80T65FDK7是一款电压等级为650V、电流为80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点，可满足客户高效率设计要求；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求。适用于充电桩，工业焊机等高频应用。

BLG80T65FDL7

BLG80T65FDL7是一款电压等级为650V、电流为80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有导通电压低，短路性能强等特点，终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、高短路耐量的设计要求。适用于电机驱动，通用驱动，通用变频器等有短路要求的应用。

BLQG160T75FDL7

BLQG160T75FDL7是一款电压等级为750V、电流为160A的车规级Trench FS IGBT，采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，具有导通电压低，短路性能强等特点，终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、高短路耐量的设计要求。适用于通用驱动，工业、农业车主驱等有短路要求的应用。

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款电压等级为750V、电流为820A的车规级Trench FS IGBT模块，采用HPD封装形式。IGBT芯片采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，优化了导通压降和开关损耗，实现更好的输出特性；优化了cell设计，改善了IGBT的短路能力，在50-400V不同母线电压，0.75-20Ω不同电阻条件下，均无震荡现象；终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等可靠性要求，可满足客户高可靠性、高短路耐量的设计要求。适用于电动或者混动汽车主驱逆变回路。

BLC13N120

BLC13N120是一款电压等级为1200V、导通电阻为13mohm的N沟道增强型平面SiC MOSFET，具有低导通电阻、高阻断电压和低栅极电荷等优点，开关性能优越。在固态断路器、高压DC-DC转换器以及谐振拓扑等应用中广泛使用。

BLCMF011N120DG2

BLCMF011N120DG2是一款电压等级为1200V、导通电阻为11mohm的SiC MOSFET模块，该模块采用紧凑的半桥拓扑结构，具有低的开关损耗和导通损耗，支持高频开关，在高效转换器、光伏逆变器和智能电网等领域，凭借SiC材料的优异特性，可在高温环境下稳定运行，同时减少散热需求，帮助客户简化系统设计并降低总成本。

上海贝岭股份有限公司

上海市宜山路810号

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