上海贝岭获得发明专利授权：“沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示上海贝岭（600171）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN202411624789.8，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本发明公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法，涉及功率半导体器件技术领域。器件有衬底，其上有外延层，下设漏极。栅沟槽在外延层上方，两侧为多级栅沟槽集成区，层间介质和源极在其上。栅沟槽内有多晶硅和栅介质，多级栅沟槽集成区包括连接区、多级栅沟槽和电流扩展层，底部有屏蔽层，内设多晶硅和栅介质。源极通过连接区与漏极连接，并通过层间介质与多级栅沟槽隔离，屏蔽层为第二导电类型，其余为第一导电类型。本发明中器件在阻断时，通过施加零或负栅压降低栅介质处电场，导通时施加正栅压抑制JFET效应，提升导通能力减少损耗。雪崩时，多级沟槽结构下移击穿点，延长传热路径，延缓金属熔化，增强雪崩鲁棒性。

今年以来上海贝岭新获得专利授权1个，较去年同期减少了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了2.01亿元，同比增13.1%。

通过天眼查大数据分析，上海贝岭股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目86次；财产线索方面有商标信息18条，专利信息672条，著作权信息18条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

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