喜报，上海贝岭再获重磅奖项！
2026强芯TOP100-创新突破奖
近日，上海贝岭受邀参加由中国集成电路设计创新联盟、《中国集成电路》杂志社、国家“芯火”双创基地（平台）等单位联合举办的集成电路设计创新会议暨应用展（ICDIA 2026）。公司应用技术部同事出席本次行业盛会。
展会期间，上海贝岭展示了在汽车电子应用领域的产品布局，并与到场专家及潜在客户进行了深入交流。公司应用技术部汽车电子市场经理在“汽车电子芯片国产化论坛”上，发表了题为《贝岭车规级特高压平面MOS新方案，助力BMS、主驱辅电降本增效！》的主题演讲，内容紧扣行业痛点，现场反响热烈，获得众多听众积极反馈。
与此同时，上海贝岭自主设计的IGBT产品——BLQG80T65 650V/80A，凭借出色的市场表现，荣获大会颁发的“2026强芯TOP100-创新突破奖”。这一奖项不仅是对产品技术实力的认可，也彰显了上海贝岭在功率半导体国产化进程中的持续深耕与突破。
未来，上海贝岭将继续聚焦汽车电子等核心赛道，以创新驱动发展，为产业链伙伴提供更具竞争力的芯片解决方案。
关于BLQG80T65：
面向汽车电子领域应用优选：
汽车座椅PTC加热
汽车动力电池预加热回路
汽车空调压缩机
车载OBC
充电桩功率模块
产品核心亮点
——高功率密度·高能效·高可靠
全面赋能光储充与汽车电子应用
在光储充与汽车电子等高频高压应用场景中，IGBT器件需要在功率密度、开关能效与长期可靠性之间取得平衡。传统方案往往顾此失，而户外复杂工况下的各类干扰，更对器件的长期稳定运行提出严苛考验。BLQG80T65是一款基于第七代微沟槽多层场截止技术研发，电压等级为650V、电流为80A的Trench FS IGBT具有低导通压降、低关断损耗与快速开关特性,兼顾系统功率密度与开关能效;终端采用优化的VLD技术,实现小尺寸与高可靠性,适配户外高温、雷雨、谐波等严苛工况。
01
技术平台领先
基于第七代微沟槽多层场截止IGBT技术平台，在芯片面积与功率密度间取得更优平衡。
BLQG80T65在同等芯片面积下显著提升功率密度，为系统高效率、高功率密度应用奠定领先基础。
02
高频低损耗，能效突出
通过沟槽结构配比与多层缓冲层设计的双重创新，BLQG80T65在开关速度与损耗特性上实现全面优化，能效表现领先同类产品。
创新结构
通过“不同类型trench配比 + 多层深缓冲层”复合设计，精细优化器件电容参数与载流子分布，从结构层面实现损耗的进一步降低。
开关性能
栅极响应速度显著提升，米勒平台期缩短，开关损耗明显降低，充分适配光储、充电桩等系统对高效率、高功率密度的核心需求。
03
高可靠性，从容应对严苛环境
从终端结构到封装工艺的全面强化，赋予BLQG80T65出色的环境适应性。
终端优化
采用先进的VLD终端优化技术，有效增大有效工作面积、优化电场分布，大幅降低高温漏电风险。
强化鲁棒性
增加钝化层及背面金属层厚度，可承受175℃结温HTRB考核及严苛的HV-H3TRB考核，从容应对户外高温、低温、雷雨、谐波干扰等复杂工况，确保器件长期稳定运行。
上海贝岭公司创建于1988年，是国内集成电路行业的首家中外合资企业。1998年改制上市，是国内集成电路行业首家上市公司。2009年，中国电子信息产业集团有限公司(CEC)成为公司控股股东。
上海贝岭主要从事集成电路设计，专注于模拟、数模混合及功率器件的设计及开发。公司集成电路产品涵盖电源管理、信号链、控制器、存储和功率器件等产品类别，主要应用于汽车电子、能效监测、工控储能、大家电、网络通信和智能终端等市场领域，致力于为客户提供高性能和高可靠性的集成电路产品解决方案。