天通股份申请一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，可以在低温环境下完成钽酸锂晶片与其他材料晶片的键合

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金融界2023年11月23日消息，据国家知识产权局公告，天通控股股份有限公司申请一项名为“一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法“，公开号CN117096065A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，该方法包括将待键合晶片抛光后浸泡酸液、清洗甩干、使用等离子体对晶片表面进行活化处理、碱性溶液冲洗晶片，并通过对准加压及阶段式升降温退火等步骤，最终获得键合强度高且键合质量好的键合片。本发明通过工艺改进，不仅可在低温环境下完成钽酸锂晶片与其他材料晶片的键合，还有效解决了大尺寸超薄钽酸锂晶片在键合过程中易翘曲碎片、键合强度低、键合质量差等问题，保证了键合的可靠性和稳定性。