澳柯玛云联申请半导体器件结构的制备方法专利，有效减小高压区域和低压区域器件的栅氧层之间的高度差

本文源自:金融界

金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件结构的制备方法”的专利，公开号CN120033147A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，包括：提供半导体基底，在半导体基底上定义出高压区和低压区；在半导体基底上形成第一隔离层；去除高压区上的第一隔离层形成第一窗口，通过第一湿法腐蚀液刻蚀第一窗口内的半导体基底以形成第一凹槽；在第一凹槽中形成第一氧化层；去除第一隔离层，在低压区的半导体基底上形成第二氧化层，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度。

天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可4个。