澳柯玛云联信息技术申请半导体器件结构的制备方法专利，有效增加栅极结构与 LDD 区的重叠面积

本文源自:金融界

金融界 2025 年 5 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件结构的制备方法”的专利，公开号 CN120076361A，申请日期为 2023 年 11 月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，包括：在基底中形成间隔排布的沟槽；在沟槽表面形成保护衬垫；在基底上形成掩膜层，在掩膜层中设置定义 LDD 区的注入窗口，注入窗口至少显露有源区和靠近有源区的沟槽侧壁；通过注入窗口以预定的倾斜角度对有源区进行离子注入，以在有源区中形成 LDD 区，LDD 区由自有源区上方注入的离子以及自沟槽侧壁注入的离子共同叠加形成。

天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可4个。