士兰微取得双向功率器件及其制造方法专利，提高了双向功率器件的耐压特性

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金融界2023年11月21日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“双向功率器件及其制造方法“，授权公告号CN112309973B，申请日期为2020年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、屏蔽介质层、屏蔽栅；以及位于第一沟槽区的多个沟槽的上部并覆盖屏蔽栅和屏蔽介质层的耐压层，其中，屏蔽介质层将控制栅和屏蔽栅分隔，耐压层承受的最大电场强度大于半导体层承受的最大电场强度，随着耐压层厚度的增加，承担了纵向方向上源区和漏区上施加的高压，提高了双向功率器件的耐压特性。