重磅！长电科技，TGV技术突破！

（来源：今日半导体）

TGV IPD示意图

4月17日，长电科技宣布在射频集成无源器件（IPD）领域取得关键技术突破，成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级工艺验证。这一成果不仅标志着公司在三维集成无源器件领域的技术储备落地，更为下一代射频前端技术迭代提供了重要的工程支撑。

此次工艺验证中，长电科技聚焦玻璃基底的三维集成技术，通过构建TGV结构作为3D互连骨架，将电感、电容等无源器件直接集成于玻璃基板之上。与传统平面结构相比，3D化的无源设计打破了平面布局的空间限制，为无源器件的性能优化开辟了新路径。

在核心指标的对比中，升级后的3D电感展现出显著优势。通过结构优化，3D电感在高频环境下的损耗大幅降低，品质因数（Q值）较同等电感值的平面结构提升接近50%，有效解决了传统无源器件在高频场景下的性能瓶颈。

除了器件性能的突破，此次验证的玻璃基技术路线在整体表现上也优于硅基IPD方案。玻璃材料本身具备更低的介电损耗与热膨胀特性，结合TGV互连的高效传输能力，使得基于玻璃基底的射频无源器件在小型化、高集成度方面更具潜力，为射频模组的轻量化设计提供了技术支持。

随着5G应用的深化及6G研发的推进，射频前端对带宽、集成度的需求持续提升。长电科技此次验证的工艺方案，能够支持更宽带宽的射频信号处理，为5G射频前端的性能优化及6G前瞻性技术的工程化探索提供了可行路径，助力射频系统在高频环境下实现更高效的信号传输。

此次工艺验证的成功，是长电科技在三维集成与射频封装领域技术积累的重要体现。未来，公司将基于这一技术成果，进一步推进玻璃基射频无源器件的产业化落地，为全球通信企业提供高性能、小型化的集成无源解决方案，助力通信产业链的技术升级。