长电科技宣布实现玻璃基TGV射频IPD性能突破

（来源：SEMI）

自长电科技官微获悉，4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。

据悉，长电科技基于TGV构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现电感、电容等关键无源结构的集成，并将传统平面电感升级为3D结构，以降低高频损耗并提升器件品质因数（Q值）。在对比评估中，3D电感在Q值等关键指标上实现显著提升，在既定测试条件下较同等电感值的平面结构提升接近50%。同时，整体性能表现优于硅基IPD技术路线，为射频模组的小型化、高集成度与性能指标提升提供了可行的工程方向。