最新成果 | 长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破!

查股网  2026-04-20 21:52  长电科技(600584)个股分析

(来源:第三代半导体产业)

4月17日,全球领先的集成电路封装测试服务提供商长电科技(JCET)宣布,已成功完成基于玻璃通孔(TGV)结构与光敏聚酰亚胺(PSPI)再布线(RDL)工艺的晶圆级射频集成无源器件(IPD)工艺验证。通过全面的测试结构试制与性能实测评估,公司成功验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势,为 5G 及面向 6G 的更宽带宽射频前端与系统级封装(SiP)优化,提供了全新的工程化实现路径。

TGV IPD示意图TGV IPD示意图

核心技术突破:3D 结构实现性能飞跃

本次技术突破的核心,在于长电科技创新性地以 TGV 构建3D 互连骨架,在高绝缘、低损耗的玻璃基板上,实现了电感、电容等关键射频无源结构的高密度集成。关键技术亮点包括:

3D 电感革新:将传统平面电感升级为立体 3D 结构,有效降低高频信号损耗,显著提升器件品质因数(Q 值)。经对比测试,在同等电感值下,3D 电感的 Q 值较传统平面结构提升近 50%。

工艺优势显著:融合 TGV 垂直互连与 PSPI 再布线工艺,整体性能表现优于传统硅基 IPD 技术路线。

产业价值凸显:为下一代射频模组的小型化、高集成度与核心性能指标提升,提供了成熟可行的工程化方向。

技术积淀:射频封装领域的全面能力

面向 5G 及未来 6G 通信对带宽、线性度与集成度的极致要求,长电科技凭借多年技术深耕,已构建起全面的射频封装与测试能力体系:

封装形态:全面支持系统级封装(SiP)、天线级封装(AiP)等先进形态。

屏蔽技术:覆盖共形屏蔽、分腔屏蔽及选择性溅射屏蔽等核心工艺。

测试能力:具备 5G、毫米波、NB-IoT 及高速信号的完整测试解决方案。

设计服务:提供射频系统仿真与封装协同设计(Co-design)服务。

验证平台:拥有覆盖射频微波、毫米波、5G 蜂窝与无线通信的一站式验证测试平台,支撑客户产品从芯片、封装到模组与整机的全流程验证与市场导入。

前瞻布局:赋能 AI 与 6G 时代

长电科技副总裁、技术服务事业部总经理吴伯平表示:"面向 AI 算力芯片的迭代跃迁与 6G 通信的前瞻布局,长电科技将加速推进玻璃基 TGV 与 PSPI 晶圆级 IPD 技术在射频系统级封装中的工程化落地。我们将深化与头部客户及产业链伙伴的协同创新,通过联合开发与验证,推动相关技术走向规模化量产,为下一代边缘计算和无线连接提供更高性能、更高集成度的系统级解决方案。"

此次玻璃基 TGV 射频 IPD 工艺的成功验证,是长电科技在先进封装领域的又一里程碑式突破,不仅巩固了其在射频封装领域的技术领先地位,更为全球 5G 深化应用与 6G 技术前瞻研发,奠定了坚实的国产先进工艺基础。

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