江化微申请混酸型纯钼蚀刻液及纯钼膜层的蚀刻方法专利，有效减小钼层的关键尺寸偏差

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金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，江阴江化微电子材料股份有限公司申请一项名为“一种混酸型纯钼蚀刻液及纯钼膜层的蚀刻方法“，公开号CN117646215A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种混酸型纯钼蚀刻液，按质量百分比计，主要组成为：2％～7％的硝酸、50％～60％的磷酸、21％～30％的乙酸、2.5％～7％的添加剂以及6％～17％的去离子水；添加剂为选自磷酸盐、硝酸盐、乙酸盐、钼酸盐、磷酸氢盐中两种以上的组合。该混酸型纯钼蚀刻液在硝酸、磷酸和乙酸的混酸体系基础上添加盐，利用优化的各酸组分含量和盐添加剂，调节对纯钼的蚀刻速率，使混酸型纯钼蚀刻液兼容于各种厚度的钼单层蚀刻，蚀刻倾角稳定于40～55°，并且有效减小钼层的关键尺寸偏差，满足各种厚度纯钼层的蚀刻技术要求；该蚀刻液的钼离子负载最高可达5000ppm，使用寿命较长。本发明还公开了一种纯钼膜层的蚀刻方法。