存储芯片市场或将回暖，数字经济ETF（159658）盘中溢价，科博达、格科微跌超1.5%丨ETF观察

今日（9月14日），数字经济板块早盘小幅下跌，随后有所反弹，相关指数中，中证数字经济主题指数（931582.CSI）截至发稿下跌0.10%，成份股跌多涨少。

其中，科博达、格科微跌超1.5%，中微公司、华大九天、同花顺跌超1%，北京君正、三环集团、兆易创新等股跟跌。

图片来源：Wind

跟踪该指数的数字经济ETF（159658）截至发稿收复早前跌幅，溢折率0.14%，盘中溢价。该ETF昨日获资金净流入近500万元。

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消息面上，证券时报援引媒体报道，三星电子公司最近与其客户（包括小米、OPPO和谷歌）签署了DRAM和NAND芯片供应协议，价格比其现有合同高出10-20%。根据DRAMexchange，DRAM现货价平均涨跌幅首次止跌转正。分析师指出，随着库存逐渐减少，NAND行业由供给向需求端的价格传导，行业有望在2023年下半年迎来量价修复。

华泰证券指出，存储是数字经济发展的基石，作为典型的周期成长行业，存储正处于新一轮成长的黎明期。经过2021年末起7个季度的下行期后，当前存储产品价格已呈现筑底态势，叠加存储原厂减产、下游库存水位持续修正，目前行业已处于周期底部，下半年需求有望逐步回暖。创新方面，AI高速发展推动HBM为代表的高性能存储器需求快速增长，测算HBM市场2024年将达64亿美金，AI有望开启存储成长新篇章。此外，中国企业级存储市场自主研发需求迫切，信创市场国产厂商大有可为。

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（作者：彭卓 编辑：梁明）