无锡新洁能申请一种垂直SiC场效应晶体管及其制造方法专利，提高了垂直SiC场效应晶体管的阈值稳定性

本文源自:金融界

金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种垂直SiC场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN120187063A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及一种垂直SiC场效应晶体管及其制造方法。本发明包括自下而上设置的：漏极电极、第一导电类型的重掺杂SiC衬底、第一导电类型的第一外延层和第一导电类型的第二外延层；第二外延层的上表面设置有多个沟槽，相邻的沟槽之间设置有台面区；台面区的顶部设有第一导电类型的重掺杂源极区，在源极区的上表面设置有源极硅化物接触部；在沟槽的侧面和底部设有第二导电类型的栅极区，在沟槽的底部位于栅极区上设置有栅极硅化物接触部；在台面区内，在栅极区远离沟槽的另一侧的第二外延层内设置有第一导电类型的第一调制区，在沟槽底部的栅极区的下方设置有第一导电类型的第二调制区。

天眼查资料显示，无锡新洁能股份有限公司，成立于2013年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41533.2567万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡新洁能股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息276条，此外企业还拥有行政许可46个。