拓荆科技：不断丰富设备种类扩大工艺覆盖面

转自：证券日报网

本报记者 李勇

6月18日，拓荆科技召开2023年度暨2024年第一季度业绩暨现金分红说明会，就公司的经营成果、发展理念、经营规划等方面内容与投资者进行了深入交流。说明会上，公司董事长吕光泉在回复投资者相关提问时表示：“未来，公司将继续紧抓半导体产业高速发展的市场机遇，不断丰富公司设备种类、扩大工艺覆盖面，同时，持续进行产品和技术的迭代创新，保持产品的先进性和竞争力。”

经营业绩持续高速增长

薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备是芯片制造的三大核心设备。其中，由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应也催生了巨大的薄膜沉积设备市场。

作为一家专注于薄膜沉积设备的高新技术企业，拓荆企业始终坚持自主研发，目前已形成PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。

说明会上，拓荆科技总经理刘静介绍，2023年，公司有4款新产品通过客户验证，包括Thermal-ALD、HDPCVD以及两款不同的混合键合设备。同时，公司推出了两款新型设备平台和两款新型反应腔，进一步提升了设备产能和薄膜沉积的性能指标。

受益于产品竞争力的持续提升，以及国内半导体行业设备需求的不断增加，近年来，拓荆科技营业收入高速增长，经营业绩大幅提高。公开数据显示，2023年度，拓荆科技实现营业收入27.05亿元，同比增长58.60%；实现归属于上市公司股东的净利润6.63亿元，同比大增79.82%。2018年至2023年，拓荆科技营业收入年复合增长率为107.31%。最近三年（2021年至2023年），拓荆科技归属于上市公司股东的净利润年复合增长率高达211.04%。

刘静表示，拓荆科技目前推出的PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD等薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料和约100多种工艺应用。未来，公司仍将聚焦在高端半导体设备领域，围绕化学气相薄膜沉积设备领域及混合键合设备领域拓展技术和产品，力争通过专精深的专业技术在上述领域实现快速发展。

不断拓展新工艺和新技术

作为典型的技术密集型行业，半导体设备行业具有技术壁垒高、产品验证周期长等特点，对企业的技术创新能力和自主研发能力都有着极高的要求。为保持企业的技术先进性和产品竞争力，拓荆科技也一直保持较高的研发强度。公开披露数据显示，2023年，公司研发投入5.76亿元，同比增长52.07%，占到了公司当年总营业收入的21.29%。

“半导体行业的发展呈现周期性，但随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展，将成为半导体行业需求增长的驱动力。”说明会上，吕光泉在与投资者交流时表示，公司一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备以及混合键合设备的研发和产业化应用。凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术。未来，公司将紧跟下游客户的需求，不断提升产品性能，扩大工艺的覆盖度，保持产品核心竞争力，进一步提升公司产品的市场应用规模。

据吕光泉介绍，2024年，公司将面向国内芯片制造技术发展和下游客户的需求，持续拓展新工艺和新技术，进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面。同时，通过持续优化公司现有产品平台、研发新型产品平台，不断提高设备产能和薄膜性能，以满足不同客户在技术节点更新迭代过程中多样化的需求。此外，公司将继续推进混合键合设备产品的客户拓展，逐步深入了解市场需求，进一步探索在存储芯片、图像传感器、先进封装等更多领域的应用。

此外，对于投资者关注的进展问题，吕光泉表示，2024年一季度以来，公司产品和工艺开发及验证进展顺利。

（编辑 屈珂薇 于南）