美迪凯：晶圆背部减薄及切割工艺实现高标准外观要求

e公司讯，美迪凯3月27日在互动平台表示，公司晶圆背部减薄及切割工艺，实现12英寸晶圆TTV ＜2.5μm、切割后崩边＜10μm及芯片表面的高标准外观要求。