东芯股份：SLC NAND核心技术优势明显 有望受益于高容量NOR Flash市场变动

转自：金融界

本文源自:金融界AI电报

金融界11月21日消息，东芯股份披露投资者关系活动记录表显示，公司在SLC NAND领域具有核心技术优势，SPI NAND Flash产品可提供3.3V/1.8V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式，并采用业内领先的单颗集成技术，节约芯片面积，降低产品成本。在NOR Flash方面，公司致力于开发中高容量、高可靠性产品，持续完善产品线丰富度，并积极拓展下游应用。值得注意的是，公司有望在高容量NOR Flash市场迎来更多机会，因美光和赛普拉斯退出市场。此外，公司已与国内外多家晶圆代工厂、封测厂建立合作，保证供应链稳定性，并与晶圆厂深化战略合作，确保产能。同时，公司注意到随着下游应用的升级，客户对芯片容量的需求逐步增大。