清溢光电：正推进130nm-65nm PSM和OPC工艺的掩膜版开发

清溢光电近期投资者关系活动记录表显示，公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产，已实现150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证。目前，公司正在推进130nm-65nm的PSM和OPC工艺的掩膜版开发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。