合肥晶合集成电路申请混合键合结构制备方法专利，避免混合键合过程中形成未键合区域和气泡

本文源自:金融界

金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“混合键合结构的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN119852244A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种混合键合结构的制备方法及半导体器件，方法包括：提供至少两个待键合结构，所述待键合结构的顶部包括电介质层，以及沿垂直所述电介质层顶面的第一方向贯穿所述电介质层的金属引出结构；执行第一化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的顶面凸出于所述电介质层的顶面；执行第二化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的两端与所述电介质层的顶面齐平，并使得所述金属引出结构的顶面形成碟形凹陷；对所述电介质层的顶面以及所述金属引出结构的顶面执行等离子体处理，得到中间键合结构；将至少两个所述中间键合结构进行混合键合，以形成混合键合结构。该方法避免了键合过程中形成未键合区域和气泡，提高了混合键合的良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目619次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1113条，此外企业还拥有行政许可16个。