安徽大学、合肥晶合集成电路申请半导体结构制作方法专利，提高半导体器件的性能

本文源自:金融界

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，安徽大学、合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及半导体结构”的专利，公开号 CN119894031A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，属于半导体技术领域，所述半导体结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底；蚀刻所述衬底，在所述衬底中形成第一凹部和第二凹部；同步蚀刻所述第一凹部和所述第二凹部两侧的衬底，在所述第一凹部中形成第一沟槽，在所述第二凹部两侧形成第二沟槽；以及在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第二凹部中填充绝缘介质，在所述第一沟槽中形成第一浅沟槽隔离结构，在所述第二沟槽中形成第二浅沟槽隔离结构，在所述第二凹部中形成栅氧化层。 通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，提高半导体器件的性能。