合肥晶合集成电路申请双浅沟槽隔离结构相关专利 实现精确控制双浅沟槽隔离结构的深度和形状

本文源自:金融界

金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器”的专利，公开号CN120109084A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器，方法包括：对第一沟槽开口和第二沟槽开口的底端实施第一次离子注入；对第一沟槽开口的底端实施第二次离子注入；进行退火处理，分别在第一沟槽开口的底端形成第一氧化区域，在第二沟槽开口的底端形成第二氧化区域；刻蚀第一氧化区域和第二氧化区域，形成双浅沟槽隔离结构；本发明基于二氧化硅和硅的刻蚀选择比高的特性，通过两次离子注入和一次氧化区域的刻蚀工艺，实现精确控制双浅沟槽隔离结构的深度和形状，在保证隔离效果的同时能够提高制造效率；同时，能够确保双浅沟槽隔离结构的轮廓连续性，保证器件的整体性能和可靠性。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目625次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1155条，此外企业还拥有行政许可17个。