晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利，可防止器件工作过程中预夹断

本文源自:金融界

金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120111934A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底、栅极结构、第二导电类型的源区和漏区。半导体衬底内有第一导电类型的阱区；源区和漏区位于阱区的上表层；栅极结构位于阱区的上表面，漏区和源区在第一方向上分别位于栅极结构两侧，栅极结构包括依次层叠的栅介质层、半导体层及位于半导体层内的第二导电类型的第一掺杂区和第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区在第一方向上的宽度小于第一掺杂区，第一、第二掺杂区分别位于栅极结构靠近漏区和源区的一侧，均位于半导体层的上表层，且分别具有第一预设深度和大于第一预设深度的第二预设深度。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目625次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1155条，此外企业还拥有行政许可17个。