晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202511652165.1，授权日为2026年4月7日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括第一区域和第二区域，所述第二区域多个晶体管，每个所述晶体管包括：半导体层和源区、漏区，所述源区和漏区位于所述半导体层中且靠近表面；第二栅介质层，位于所述半导体层的表面上；栅极导体，位于所述第二栅介质层上；第二侧墙，位于所述栅极导体侧表面的所述第二栅介质层上；以及多个导电通道，分别与所述源区漏区、所述栅极导体和所述第二侧墙连接以作为引出结构，其中，所述第二侧墙包括场板，所述场板的导电通道与所述漏区的导电通道连接。本申请不增加沟道导通电阻的同时进一步提高器件的耐压。

今年以来晶合集成新获得专利授权147个，较去年同期增加了63.33%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1585条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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