晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202511483770.0，授权日为2026年4月10日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底；基底包括衬底、设置在衬底上的栅极结构、以及位于栅极结构两侧的牺牲侧墙；其中，衬底和栅极结构分别形成有金属硅化物；衬底的表面具有位于栅极结构与金属硅化物之间的间隙区域；基于应力临近技术，去除牺牲侧墙，并在衬底和栅极结构上设置应力层；应力层的厚度大于间隙区域的宽度；去除部分应力层，以使金属硅化物的至少部分表面暴露；剩余部分的应力层形成栅极侧墙；其中，间隙区域被栅极侧墙覆盖；在金属硅化物和栅极侧墙的表面设置第一层间介质层；对应金属硅化物的位置，刻蚀第一层间介质层以制备出接触孔。如此，减少了SPT工艺后制作的接触孔出现的高接触电阻问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权151个，较去年同期增加了65.93%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目642次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1601条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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