东微半导申请氮化镓HEMT器件专利，专利技术能提高器件的性能

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金融界2023年11月28日消息，据国家知识产权局公告，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“氮化镓HEMT器件及其制造方法“，公开号CN117133794A，申请日期为2022年5月。

专利摘要显示，本发明实施例提供的一种氮化镓HEMT器件，包括硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化镓基底层；在所述氮化镓基底层上形成的HEMT器件，包括栅极、源极和漏极；从所述氮化镓基底层上表面贯穿至下表面的正穿孔；覆盖所述HEMT器件及所述正穿孔侧壁的第一层间绝缘层，在所述第一层间绝缘层中的第一互连通孔；位于所述第一互连通孔和所述正穿孔内的第一互连金属层，所述正穿孔内的第一互连金属层和所述漏极电性连接；在所述硅衬底中形成的背穿孔，位于所述背穿孔内的第三互连金属层，所述第三互连金属层与所述正穿孔内的第一互连金属层接触连接；位于所述硅衬底背面且与所述第三互连金属层接触连接的漏电极。