东微半导获得发明专利授权：“IGBT器件的制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器件的制造方法”，专利申请号为CN202210367143.0，授权日为2025年10月3日。

专利摘要：本发明实施例提供的一种IGBT器件的制造方法，首先，在形成第一沟槽后形成n电荷存储区，通过控制第一沟槽的深度来控制n型电荷存储区的深度，避免n型电荷存储区对后续形成的p型体区产生影响；其次，先形成浮空的p型柱，再形成栅极，避免了形成p型柱时对栅极产生的损伤；再次，n型电荷存储区、p型柱和栅极均通过自对准工艺形成，简化了IGBT器件的制造工艺。

今年以来东微半导新获得专利授权8个。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4223.04万元，同比增8.89%。

通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息159条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。

数据来源：天眼查APP

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