高效率，高EMI性能，晶丰明源合封氮化镓芯片BP83223详解

在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。

为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，目前已有众多电源芯片厂商着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线。这些芯片能够将氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能整合在一颗芯片上，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅能够提升整体方案的性能，还有助于减少PCB板的占用空间、缩小产品尺寸，并削减物料成本。合封氮化镓芯片的应用范围广泛，包括电子设备、通信设备、电动汽车充电器、工业电源以及可再生能源系统等。这些芯片不仅可以提供高效的电源转换，还常常包括多种保护功能以确保电源系统的安全性和可靠性。

充电头网从最近的拆解中发现了晶丰明源推出的一款内部集成650V耐压，115mΩ导阻增强型氮化镓开关管的主动式PFC芯片BP83223，只需少量的外围器件即可实现高精度恒压输出、高功率因素和低电流谐波。

BP83223氮化镓合封芯片

晶丰明源BP83223，是一颗内部集成650V耐压，115mΩ导阻增强型氮化镓开关管的主动式PFC芯片，采用单级结构，可有效芯片PFC电感和高压滤波电容，减小体积降低成本，内部集成高压启动和输入电压采样电路，具备增强的PF控制算法，只需要很少的外围器件就可以实现高精度恒压输出、高功率因数和低电流谐波。

BP83223输出功率最高可达100W，待机功耗极低，在230V电压下待机功耗小于100mW，具有优异的线性调整率和负载调整率，并且内置了动态加速模块，能有效地改善系统对负载的响应速度，提供稳定的输出电压性能。

BP83223 采用 Ton 时间控制机制，内置了 PF 增强控制算法，可轻松满足轻载下的新 ErP 分次电流谐波标准。准谐振工作模式（BCM 和 DCM）在谷底开通功率管，可实现更高的效率和较优的 EMI 性能。

BP83223 采用了频率折返控制技术，系统在较大负载时工作于 BCM 模式，随着负载减小进入 DCM 模式，同时降低开关频率，有利于提高轻载效率。BP83223 内置多种保护，包括逐周期限流、输出短路保护、输出过压保护、次级整流管短路保护、过载保护、VCC 过压/欠压保护、输入欠压保护、以及过温保护等。BP83223 采用 ESOP-10 封装，具备较好的散热性能。

充电头网总结

晶丰明源BP83223通过集成650V高压GaN功率管、PWM控制、驱动和多种保护功能，有效简化了电路设计，减少了外围器件需求，提升了功率密度，同时降低了成本和尺寸，Ton时间控制和频率折返技术保证了在不同负载条件下的高效率和优越的EMI性能，实现了高效率、高性能和高可靠性的电源解决方案。